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DMP2022LSS
1.4
1.3
V GS = -2.5V
0.1
1.2
I D = -8.0A
1.1
1.0
V GS = -4.5V
I D = -9.0A
V GS = -10V
I D = -10A
0.01
V GS = -2.5      V
V GS = -3.0V
V GS = -4.5V
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
0.001
0.1
1
10
100
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Fig. 3 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
10,000
f = 1MHz
V GS = 0V
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
1.0
0.8
I D = -250μA
1,000
C iss
C oss
0.6
0.4
C rss
0.2
100
0
4
8 12 16
20
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Total Capacitance
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMP2022LSS
Document number: DS31373 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
June 2010
? Diodes Incorporated
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